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1SS130中文资料

  • 大小:467.39KB
  • 厂家:SUNMATE/森美特
  • 描述:Maximum Ratings and Thermal Characteristics (Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.) Symbol Value Unit V RRM 100 V V RM 75 V Maximum Average Forward Current I F 130 mA Maximum Peak Forward Current I FM 400 mA Maximum Power Dissipation P D 300 mW Maximum Non-repetitive Peak Forward Current I FSM 600 mA Maximum Junction Temperature T J 175 °C Storage Temperature Range T S -65 to + 175 °C Electrical Characteristics (Ta = 25°C unless otherwise noted) Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Reverse Current I R V R = 20 V - - 0.5 μA Forward Voltage V F I F = 10 mA - - 1.0 V Capacitance between terminals C T - - 4.0 pF I F = 10 mA , V R = 6 V R L = 50 Ω Parameter Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage Maximum Continuous Reverse Voltage Test Condition f = 1MHz ; V R = 0 V Reverse Recovery Time ns 4.0 - - Trr Features 1SS130 SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE High switching speed: max. 4 ns Continuous reverse voltage:max. 75 V Repetitive peak reverse voltage:max. 100 V 0

1SS130供应商

更新时间:2022-12-31 18:50:37
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